Radiacijos stimuliuota difuzija silicio monokristaluose

Šis darbas „Radiacijos stimuliuota difuzija silicio monokristaluose“ aktualus, nes šiuo metu intensyviai tiriama elektromagnetinės ir korpuskulinės spinduliuotės įtaka puslaidininkių bei puslaidininkinių prietaisų savybėms. Darbo apimtis 48 lapai (8 lapai priedų), kurie suskirstyti į 5 skyrius ir 8 poskyrius:
1. Radiacinių taškinių defektų generacijos ir migracijos mechanizmai;
2. Radiacijos stimuliuota atomų migracija ir difuzija;
3. Difuzijos procesų teorija;
4. Minkštąja rentgeno spinduliuote veikiamų Si monokristalo bandinių laidumas;
5. Difuzijos lygtis ir jos sprendimas įskaitant generaciją ir rekombinaciją.
Šiame darbe nagrinėjama, kaip radiacija įtakoja difuzijos procesą silicio monokristale.. Taip pat yra modeliuojamas difuzijos procesasas programiniais paketais „Mathematica 5“ ir „Mathcad 13“. Minėtojo modelio pagalba nagrinėjami difuzijos reiškiniai silicio monokristaluose Įskaitant, kad difunduoja dviejų rūšių vakansijos (greitos ir lėtos) ir vakansijos baigtinio gyvavimo trukmę, gautasis modelis su atitinkamais parametrais, vaizdžiai sutampa su eksperimento rezultatais, kur matyti, jog yra pasiekiamas laidumo įsisotinimas.
SUMMARY
There is a grate interest in characteristics of semiconductors and semiconductor devices influenced by the electromagnetic and corpuscular beam. Nowadays this field is explored intensively by scientists and my work “Radiation – stimulated diffusion in silicon monocrystals is also attempted to this topic. This work consists of 48 pages (8 pages appurtenances) divided into 5 chapters and 8 sections:
1. Mechanisms of radiation point defect generation and migration;
2. Radiation stimulated migration and diffusion of atoms;
3. Theory of diffusion process;
4. Si monocrystal specimen conduction under the sway of soft X-ray beam;
5. Equation of diffusion and it’s solution including generation and recombination.
Simulation software packages “Matematica 5” and “Mathcad 13” were used to create a model in this work. The model simulated diffusion in silicon monocrystals. Influence of radiation on diffusion in silicon monocrystals was also analyzed. The model, including diffusion of two types of vacancies (fast and slow) and also the finite lifetime of the vacancy, is in correspondence with the results of our experiment showing saturated conduction in Si monocrystals.
Išvados -...

Daugiau informacijos...

★ Klientai rekomenduoja

Šį rašto darbą rekomenduoja mūsų klientai. Ką tai reiškia?

Mūsų svetainėje pateikiama dešimtys tūkstančių skirtingų rašto darbų, kuriuos įkėlė daugybė moksleivių ir studentų su skirtingais gabumais. Būtent šis rašto darbas yra patikrintas specialistų ir rekomenduojamas kitų klientų, kurie po atsisiuntimo įvertino šį mokslo darbą teigiamai. Todėl galite būti tikri, kad šis pasirinkimas geriausias!